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SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 Kit, Arbeitsspeicher
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Nr. 13298 in Computer
Stil: Arbeitsspeicher (RAM) Laptop
Artikel Nr.: 2097723876

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Artikelnummer20977238762100943703210094482520999443532101090420
Im Angebot seit28.12.201616.07.202318.07.202302.07.202018.01.2024
PreisHK$150.82HK$1,824.91HK$979.43HK$506.07HK$1,757.42
Gewicht0.17kg0.04kg0.05kg0.05kg0.04kg
HerstellerG.skillCrucialCrucialCrucialDell
KategorieHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Speicherspannung1.5 V1.1 V1.1 V1.2 V1.1 V
Speicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GB2 x 48 GB1 x 48 GB1 x 16 GB1 x 32 GB
Komponente fürLaptop Laptop Laptop Laptop Laptop
Speichertaktfrequenz1600 MHz5600 MHz5600 MHz3200 MHz5600 MHz
Interner SpeichertypDDR3 DDR5 DDR5 DDR4 DDR5
Speicherkapazität4 GB96 GB48 GB16 GB32 GB
Gepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered)
weitere Featureskeine Angabekeine Angabekeine Angabeso-dimm
ddr4		keine Angabe

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Inhalt:

Beschreibung:G.Skill SQ Series - DDR3 - 4 GB: 2 x 2 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-12800CL9D-4GBSQ Modell SQ Series EAN/UPC 4711148597333 Produktbeschreibung: G.Skill SQ Series - DDR3 - 4 GB: 2 x 2 GB - SO DIMM 204-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB: 2 x 2 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL9 (9-9-9-28) Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.5 V
Details: Allgemein Kapazität 4 GB: 2 x 2 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL9 (9-9-9-28) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Spannung 1.5 V
F3-12800CL9D-4GBSQ, SQ-Serie, Lite Retail
-CL9 9-9-28
-2 Stück
-4 GB
Manufacturer-Nr.: F3-12800CL9D-4GBSQ
Herstellernummer: F3-12800CL9D-4GBSQ
Details zur Produktsicherheit

Technische Daten

Sprache:

Merkmale

CAS Latenz9
ECCNein
Gepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)
Interner SpeichertypDDR3
Komponente fürLaptop
Memory Formfaktor204-pin SO-DIMM
SPD profilJa
SpeicherkanäleZweikanalig
Speicherkapazität4 GB
Speicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GB
Speicherspannung1.5 V
Speichertaktfrequenz1600 MHz

Verpackungsdaten

VerpackungsartSO-DIMM

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