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Silicon Power S55 120Go Série ATA III disque dur
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Style: Merchandise divers
No d'article.: 2098123641

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Content:

Description:SILICON POWER Slim S55 - Disque d?état solide - 120 Go - Interne - 6,4 cm (2,5 po) - Sata 6 Go/s Groupe Disques durs Fabricant SILICON POWER Manufacturer Art. Nr. SP120GBSS3S55S25 Modell SILICON POWER Slim S55 EAN/UPC Produktbeschreibung: SILICON POWER Slim S55 - Solid-State-Disk - 120 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 6.4 cm Ultra Slim Line (2.5" Ultra Slim Line) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Error Correction Code (ECC), RAID bereit , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100 mm x 7 mm
Details: Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 6.4 cm Ultra Slim Line (2.5" Ultra Slim Line) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), stoßfest, TRIM-Unterstützung,
Le produit "Sp Interne Festpl. S55 120gb" de la catégorie "disques durs internes SSD" a la couleur noire. L?article pèse 74 g, a une capacité de disque dur de 120 Go et a une largeur de 100 mm, une hauteur de 7 mm et une profondeur de 69,8 mm. L?article a un taux de transfert de données de 0,55 Gbps.
N° de fabricant: SP120GBSS3S55S25
Sécurité des produits

Spécifications techniques

Langue:

Poids et dimensions

Hauteur7 mm
Largeur100 mm
Poids63 g
Profondeur69,9 mm

Conditions environnementales

Choc durant le fonctionnement1500 G
Vibrations en fonctionnement20 G

Puissance

Tension de fonctionnement5 V

Autres caractéristiques

Certificats de conformitéRoHS
Couleur du produitNoir

Caractéristiques

Capacité du Solid State Drive (SSD)120 Go
CertificationCE, FCC
ECCOui
Facteur de forme SSD2.5"
File d'attente des commandes natives (NCQ)Oui
Fonctions de protectionRésistant aux chocs, Anti-vibration
InterfaceSérie ATA III
Support RAIDOui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Taux de transfert des données6 Gbit/s
Temps moyen entre pannes1500000 h
Type Flash NANDTLC (Triple Level Cell)
Type de mémoireTLC
Vitesse d'écriture séquentielle (ATTO)420 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle (CDM)370 Mo/s
Vitesse de lecture séquentielle (ATTO)550 Mo/s
Vitesse de lecture séquentielle (CDM)460 Mo/s
composant pourPC/ordinateur portable

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