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Kingston Technology SODIMM 1RX16 módulo de memoria
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#7261 en Computadora
Estilo: Memoria RAM/portátil
Número de artículo: 2098255284

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Número de artículo20982552842097720693210097938921009649172100943703
En oferta desde30.05.201828.12.201609.09.202318.08.202316.07.2023
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Peso0.12kg0.02kg0.46kg0.01kg0.04kg
FabricanteKingstonG.skillSpin MasterCrucialCrucial
CategoríaAccessoriesHardware/ElectronicAccessoriesHardware/ElectronicHardware/Electronic

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Detalles: Capacidad general Tipo de expansión de 4 GB Tipo de memoria genérica Tecnología DRAM DDR4 Factor de forma SDRAM SO DIMM 260 PIN Altura del módulo (pulgada) 1,18 velocidad 2666 MHz (PC4-21300) latencias CL19 (19-19-19) verificación de integridad de datos Particularidades no ECC de rango único, terminación en el troquel (ODT), detección de presencia en serie (SPD), configuración de módulo sin búfer
KVR26S 19S6/4, valorador/4 AM
-CL19 19-19-32
-1 pieza
- 4 GB Número de
fabricante: KVR26S19S6/4
El producto «RAMNDDR4 SO 2666 4GB Kingston ValueRAM» de Kingston Valueram es rojo. Los siguientes productos son compatibles con este artículo: Acer - Aspire Nitro 5 (AN515-42-xxx) Acer - Aspire Nitro 5 (AN515-52-xxx) Acer - Aspire Nitro 5 (AN515-53-xxx) Acer - Predator Helios 300 (PH315-xx-xxx) ASUS/ASMobile - Portátil ROG SCAR Edition GL703GE /ASMobile - Portátil ROG SCAR Edition GL703GE Portátil 703GM ASUS/ASMobile - Portátil ROG SCAR Edition GL703GS ASUS/ASMobile - Ordenador portátil ROG SCAR II GL504GM ASUS/ASMobile - Portátil ROG Strix Hero Edition ASUS/ASMobile - ROG ZEPHYRUS M (GM501) Portátil ASUS/ASMobile - ROG Z This The Este artículo pertenece al sector de PC/servidores y cuenta con memoria interna tipo DDR4.
N° de fabricante: KVR26S19S6/4
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Peso y dimensiones

Altura30 mm
Profundidad2,45 mm
Ancho69,6 mm

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Características

País de origenTaiwán
Programador de potencia de voltaje (VPP)2,5 V
Tiempo activo en fila32 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila350 ns
Tiempo de ciclo de fila45,75 ns
Voltaje de memoria1.2 V
Clasificación de memoria1
Latencia CAS19
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
ECCNo
Forma de factor de memoria260-pin SO-DIMM
Componente paraPortátil
Tipo de memoria internaDDR4
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Memoria interna4 GB

Detalles técnicos

Certificados de conformidadRoHS

Sostenibilidad

No contieneHalógeno

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