G. Skill

G.Skill 4GB DDR3-1600 4GB DDR3 1600MHz módulo de memoria
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G.skill
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#44444 en Computadora
Estilo: Memoria RAM/portátil
Número de artículo: 2098583863

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Número de artículo20985838632100943703210094482520999443532101090420
En oferta desde22.08.201816.07.202318.07.202302.07.202018.01.2024
Precio38,49 EUR194,69 EUR112,99 EUR53,99 EUR187,49 EUR
Peso1.12kg0.04kg0.05kg0.05kg0.04kg
FabricanteG.skillCrucialCrucialCrucialDell
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Voltaje de memoria1.35 V1.1 V1.1 V1.2 V1.1 V
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB2 x 48 GB1 x 48 GB1 x 16 GB1 x 32 GB
Componente paraPortátil Portátil Portátil Portátil Portátil
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz5600 MHz5600 MHz3200 MHz5600 MHz
Tipo de memoria internaDDR3 DDR5 DDR5 DDR4 DDR5
Memoria interna4 GB96 GB48 GB16 GB32 GB
Más funcionessin informaciónsin informaciónsin informaciónddr4
so-dimm		sin información

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Contenido:

Descripción:G.Skill - DDR3 - 4 GB - 1600 MHz - 1.35 V Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-1600C9S-4GSL Modell EAN/UPC 4711148592000 Produktbeschreibung: G.Skill - DDR3 - 4 GB Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM Erweiterungstyp Generisch Geschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten (9-9-9-28) Leistungsmerkmale Niederspannung Spannung 1.35 V
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"- DDR3 - 4GB - 1600 MHz - 1.35 V (F3-1600C9S-4GSL)" de G.skill de la categoría RAM Laptop se puede utilizar además para el área Notebook. El tipo de almacenamiento interno es DDR3. El artículo tiene una memoria RAM de 4 GB.
N° de fabricante: F3-1600C9S-4GSL
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Peso y dimensiones

Altura30 mm
Ancho67,6 mm

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Características

Canales de memoriaUn canal
Componente paraPortátil
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Latencia CAS9
Memoria interna4 GB
Tipo de memoria internaDDR3
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Voltaje de memoria1.35 V

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