Ddr4 32gb Pc 3600 Cl16 G.skill Kit (2x16gb) 32gtznc Neo

3600 2x16GB G.Skill F4-3600C16D-32GTZNC
Ddr4 32gb Pc 3600 Cl16 G.skill Kit (2x16gb) 32gtznc Neo

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Rango de ventas: #53 en RAM Memory PC
#2242 en Computadora
Estilo: RAM Memory PC
Número de artículo: 2099355078

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Número de artículo20993550782097728172210072421921007688572097724564
En oferta desde30.07.201928.12.201630.10.202203.01.202328.12.2016
Precio106,39 EUR93,89 EUR208,49 EUR160,09 EUR51,69 EUR
Peso0.27kg0.28kg0.21kg0.21kg0.16kg
FabricanteG.skillG.skillG.skillG.skillG.skill
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Memoria interna32 GB32 GB64 GB32 GB16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)2 x 16 GB4 x 8 GB2 x 32 GB2 x 16 GB2 x 8 GB
Tipo de memoria internaDDR4 DDR3 DDR5 DDR5 DDR3
Velocidad de memoria del reloj3600 MHz2400 MHz6000 MHz8000 MHz2400 MHz
Componente paraPC/servidor PC/servidor PC PC PC/servidor
ECCNo No No No No
Latencia CAS16 11 30 38 11
Canales de memoriaDoble canal Doble canal Doble canal Doble canal Dual
Voltaje de memoria1.35 V1.5,1.65 V1.4 V1.45 V1.5,1.65 V

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Contenido:

Descripción:G.Skill Tridentz Neo Series - DDR4 - 32GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-PIN - 3600MHz/PC4-28800 - CL16 - 1.35V - Sin búfer - sin búfer - sin ECC - Negro cepillado, aluminio cepillo/negro, plata recubrimiento en polvo Grupo RAM Fabricante G.Skill Art. Nr. F4-3600C16D-32GTZNC Modelo Tridentz Neo Series EANT Series UPC 4713294223463 Descripción del producto: G. Skill Tridentz Neo Series - DDR4 - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-PIN - Tipo de memoria RAM sin búfer Capacidad de 32 GB: 2 x 16 GB Tipo de memoria DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Tipo de extensión Integridad de datos genérica Compruebe la velocidad sin ECC 3600 MHz (PC4-28800) Latistas CL16 (16-19-19-39) de aluminio de doble canal, perfiles de memoria Intel Extreme (XMP 2.0), LED RGB parpadeantes, soporte ASASUS Aura Sync, soporte MSI Mystic Light RGB, Soporte Gigabyte RGB, Soporte de control de iluminación Trident Z RGB, Soporte policromado ASRock, Trident Z Tri-Fin Diseño, Soporte de perfil OC, Voltaje sin búfer 1.35
F4-3600C16D-32GTZNC Dent Z Neo
-CL16 -19-39 -2 piezas
-32 GB
Nº de fabricante: F4-3600C16D-32GTZNC
El modelo G.Skill F4-3600C16D-32GTZNC es un kit avanzado de memoria DDR4 pensado para entusiastas del hardware y jugadores que buscan el máximo rendimiento y estabilidad en sus sistemas informáticos modernos.Este conjunto incluye dos módulos de memoria RAM con una capacidad total combinada de 32GB (2x16GB) funcionando a una velocidad sobresaliente de hasta 3600MHz y baja latencia CL16.Ideal para estaciones creativas profesionales o equipos gaming exigentes gracias al soporte completo para perfiles Intel XMP 2·0 que facilitan el overclocking seguro.El diseño Trident Z Neo incorpora disipadores térmicos fabricados en aluminio premium garantizando refrigeración eficiente incluso bajo cargas extremas.G.skill es reconocido internacionalmente por su innovación tecnológica y altos estándares ecológicos; emplea procesos sostenibles durante toda su producción minimizando residuos industriales.Al elegir este producto no solo mejoras tu experiencia informática sino que también colaboras activamente con iniciativas medioambientales positivas impulsadas por fabricantes comprometidos como G.skill
N° de fabricante: F4-3600C16D-32GTZNC
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Características

Canales de memoriaDoble canal
Color de luz de fondoRojo/Verde/Azul
Color del productoAluminio, Negro
Componente paraPC/servidor
Diseño de memoria (módulos x tamaño)2 x 16 GB
ECCNo
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
Intel® Extreme Memory Profile (XMP)Si
Latencia CAS16
Memoria interna32 GB
País de origenTaiwán
Perfil SPDSi
RetroiluminaciónSi
Tipo de enfriamientoDisipador térmico
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Tipo de memoria internaDDR4
Velocidad de SPD2133 MHz
Velocidad de memoria del reloj3600 MHz
Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile)2.0
Voltaje de SPD1.2 V
Voltaje de memoria1.35 V

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