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Emtec X300 M.2 512 Go PCI Express 3.0 3D NAND NVMe
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Hardware/ Electronic
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Style: SSD interne
No d'article.: 2099756065

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Content:

Description:EMTEC Power Pro X300 - Disque SSD - 512 Go - Interne - M.2 2280 - Disque dur PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Groupe N° d'article du fabricant ECSSD512GX300 Modèle Power Pro X300 EAN/UPC 3126170170750 - Disque Solid State - 512 Go - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)) - interne - Support TRIM, mise à niveau dynamique et statique d'usure, code de correction d'erreur (ECC), gestion des blocs défectueux, technologie 3D NAND, surcommission, gestion basse consommation, Capacité de réglage des performances adaptatives 512 Go Facteur de forme M.2 2280 Interface PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Caractéristiques prise en charge de TRIM, mise à niveau dynamique et statique d'usure, code de correction d'erreur (ECC), gestion des blocs défectueux, technologie NAND 3D, surcommission, gestion basse consommation, réglage adaptatif des performances, S.M.A.R.T. Dimensions (Largeur x Profondeur x Hauteur) 22 mm x 80 mm x 2 mm
Détails : Général Type de périphérique Disque Solid State - Capacité interne 512 Go Facteur de forme M.2 2280 Interface
M.2 2280, NVMe PCIe Gen 3.0 x4
-Lire : 1700 Mo/s, écriture : 1500 Mo/s
-512 Go
Numéro du fabricant : ECSSD512GX300
N° de fabricant: ECSSD512GX300
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Numéro d'article20997560652101229418210093435721004406472100633753
En vente depuis20.03.202010.08.202404.07.202321.11.202420.07.2022
Prix62,59 EUR196,79 EUR149,59 EUR374,09 EUR73,29 EUR
Poids0.07kg6,6 g30,4 g9,57 g40 g
FabricantEmtecKingstonWestern JubileeWestern JubileeCrucial
CatégorieHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Facteur de forme SSDM.2 M.2 M.2 M.2 2.5"
Capacité du Solid State Drive (SSD)512 Go2 To1 To4 To500 Go
InterfacePCI Express 3.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 3.0 Série ATA III
composant pourPC/ordinateur portable PC/ordinateur portable console de jeux NAS PC/ordinateur portable
Vitesse de lecture1700 Mo/s6000 Mo/s7300 Mo/s3400 Mo/s550 Mo/s
Vitesse d'écriture1500 Mo/s5000 Mo/s6300 Mo/s3100 Mo/s500 Mo/s

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