Silicon Power

Silicone Power Ace A55 2.5" 2000 Go Série ATA III 3D NAND (SP002TBBSS3A55S25)
Silicon Power

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Style: SSD interne
No d'article.: 2100313868

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Numéro d'article21003138682099943357210116509020998074662101237473
En vente depuis21.05.202101.07.202030.07.202525.04.202023.08.2024
Prix102,89 EUR565,59 EUR90,19 EUR43,29 EUR192,09 EUR
Poids63 g57 g670 g5 g6 g
FabricantSilicon PowerSamsungHoneywellTranscendLexar Media
CatégorieHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
InterfaceSérie ATA III SATA SATA Série ATA III PCI Express 4.0
composant pourPC/ordinateur portable PC NAS PC PC
Temps moyen entre pannes1500000 h1500000 h2500000 h2000000 h1500000 h
Largeur69,8 mm100 mm101,6 mm22 mm80 mm
Profondeur100 mm69,8 mm147 mm3,58 mm22 mm
Hauteur7 mm6,8 mm26,1 mm42 mm2,45 mm
Plus de fonctionsaucune informationaucune informationaucune informationm2-ssdaucune information

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Content:

Description:Hauptmerkmale Merkmale SSD-Formfaktor 2.5" SSD Speicherkapazität 2000 GB Schnittstelle Serial ATA III Speichertyp 3D NAND NVMe Nein Komponente für PC/Notebook Lesegeschwindigkeit 560 MB/s Schreibgeschwindigkeit 530 MB/s Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (ATTO) 560 MB/s Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (ATTO) 530 MB/s Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (CDM) 500 MB/s Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (CDM) 450 MB/s S.M.A.R.T. Unterstützung Ja Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h Hintergrundbeleuchtung Nein Leistung Arbeitsspannung 5 V Betriebsbedingungen Vibration Widerstand 20 G Gewicht und Abmessungen Breite 69,8 mm Tiefe 100 mm Höhe 7 mm Gewicht 63 g
Sécurité des produits

Spécifications techniques

Langue:

Poids et dimensions

Hauteur7 mm
Largeur69,8 mm
Poids63 g
Profondeur100 mm

Conditions environnementales

Résistance aux vibrations20 G

Puissance

Tension de fonctionnement5 V

Caractéristiques

Capacité du Solid State Drive (SSD)2 To
Facteur de forme SSD2.5"
InterfaceSérie ATA III
NVMeNon
RétroéclairageNon
Support S.M.A.R.T.Oui
Taux de transfert des données6 Gbit/s
Temps moyen entre pannes1500000 h
Type de mémoire3D NAND
Vitesse d'écriture530 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle (ATTO)530 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle (CDM)450 Mo/s
Vitesse de lecture560 Mo/s
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Vitesse de lecture séquentielle (CDM)500 Mo/s
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