SILICON POWER - DDR4 - módulo - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHZ/PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - Grupo sin ECC RAM Fabricante Silicon Power Fabricante Artículo No. SP016GBSFU266X02 Modelo SILICON POWER EAN/UPC 4713436143819 Descripción del producto: SILICON POWER - DDR4 - módulo - 16 GB - SO DIMM 260 PIN - 2666 MHz/PC4-21300 - sin búfer Tipo de producto Capacidad del módulo de memoria 16 GB Tipo de memoria SDRAM DDR4 - SO DIMM 260-PIN Tipo de extensión Verificación de integridad de datos genéricos Velocidad no ECC Latencia de 2666 MHz (PC4-21300) CL19 Características Voltaje sin búfer 1.2 V
Detalles: Capacidad general 16 GB Tipo de expansión Tipo de memoria genérica Tipo de memoria DRAM Módulo de memoria Tecnología DDR4 SDRAM Factor de forma SO DIMM 260 PIN Velocidad 2666 MHz (PC4-21300) Latencia CL19 Comprobación de integridad de datos No ECC Características especiales Voltaje sin búfer 1 .2 V Etiquetado misceláneo FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC