Silicon-power

Silicon Power SP008GBSFU266X02 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 2666 MHz
Silicon-power

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Hardware/ Electronic
Silicon-power
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Estilo: RAM Memory PC
Número de artículo: 2100433523

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Número de artículo2097728172210072421921007688572097724564
En oferta desde28.12.201630.10.202203.01.202328.12.2016
Precio92,39 EUR204,99 EUR157,99 EUR51,09 EUR
Peso0.28kg0.21kg0.21kg0.18kg
FabricanteG.skillG.skillG.skillG.skill
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Memoria interna32 GB64 GB32 GB16 GB
Tipo de memoria internaDDR3 DDR5 DDR5 DDR3
Velocidad de memoria del reloj2400 MHz6000 MHz8000 MHz2400 MHz
Componente paraPC/servidor PC PC PC/servidor
Diseño de memoria (módulos x tamaño)4 x 8 GB2 x 32 GB2 x 16 GB2 x 8 GB
Latencia CAS11 30 38 11
Voltaje de memoria1.5,1.65 V1.4 V1.45 V1.5,1.65 V
ECCNo No No No
Canales de memoriaDoble canal Doble canal Doble canal Dual

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Contenido:

Descripción:Módulo DDR4 de potencia de silicio 8 GB SO DIMM 260 PIN 2666 MHz PC4-21300 CL19 1.2 V sin búfer sin memoria intermedia Fabricante de RAM de grupo sin ECC Fabricante de energía de silicio Artículo no. SP008GBSFU266X02 Modelo Silicon Power EAN/UPC 4713436143956 Descripción del producto: Módulo DDR4 de potencia de silicio 8 GB SO DIMM 260 PIN 2666 MHz/PC4-21300 - sin búfer Tipo de producto Módulo de memoria Capacidad 8 GB Tipo de memoria DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Tipo de extensión Comprobación de integridad de datos genéricos No ECC Velocidad 2666 MHz (PC4- (21300) Latencia CL19 Características Voltaje sin búfer 1.2 V
Detalles: Capacidad general 8 GB Tipo de extensión Tipo de memoria genérica DRAM Módulo de memoria Tecnología DDR 4 SDRAM Factor de forma SO DIMM 260-PIN Velocidad 2666 MHz (PC4-21300) Latencias CL19 Comprobación de integridad de datos sin ECC Características especiales Sin búfer Voltaje 1.2 V Marcado diverso FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
El módulo SO DDR4 8GB PC 2666 CL19 Silicon-Power (1x8GB) VALUE del fabricante Silicon Power es una excelente opción para actualizar portátiles y ordenadores compactos que requieren rendimiento fiable y velocidad eficiente en el procesamiento diario o profesional exigente gracias a sus especificaciones técnicas: capacidad única de 8 GB tipo SODIMM con frecuencia operativa de hasta 2666 MHz y latencia CAS CL19 para garantizar fluidez incluso bajo cargas intensivas o múltiples tareas simultáneas; además su diseño optimizado reduce el consumo energético prolongando así la autonomía del dispositivo portátil compatible con ranuras DDR4-SODIMM modernas. Silicon Power destaca internacionalmente por ofrecer soluciones innovadoras y productos fiables dentro del sector tecnológico apostando firmemente por procesos sostenibles mediante materiales ecológicos siempre que sea posible e implantación rigurosa sistemas gestión ambiental durante toda su producción industrializada; al elegir este módulo no solo mejoras el rendimiento sino también apoyas prácticas responsables medioambientalmente: cada compra suma tu aporte positivo hacia un futuro más sostenible.
N° de fabricante: SP008GBSFU266X02
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Características

CertificaciónCE, FCC, Green dot
Componente paraPortátil
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
ECCNo
Forma de factor de memoria260-pin SO-DIMM
Latencia CAS19
Memoria interna8 GB
Tipo de memoria internaDDR4
Velocidad de memoria del reloj2666 MHz
Voltaje de memoria1.2 V

Detalles técnicos

Certificados de conformidadRoHS, WEEE

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