Silicon-power

SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC (SP008GBSFU2
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Stil: Arbeitsspeicher (RAM) PC
Artikel Nr.: 2100433523

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Artikelnummer2097728172210072421921007688572097724564
Im Angebot seit28.12.201630.10.202203.01.202328.12.2016
Preis88.69 CHF196.79 CHF151.67 CHF49.05 CHF
Gewicht0.28kg0.21kg0.21kg0.18kg
HerstellerG.skillG.skillG.skillG.skill
KategorieHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Interner SpeichertypDDR3 DDR5 DDR5 DDR3
Speichertaktfrequenz2400 MHz6000 MHz8000 MHz2400 MHz
Komponente fürPC / Server PC PC PC / Server
Speicherlayout (Module x Größe)4 x 8 GB2 x 32 GB2 x 16 GB2 x 8 GB
CAS Latenz11 30 38 11
Speicherspannung1.5,1.65 V1.4 V1.45 V1.5,1.65 V
ECCNein Nein Nein Nein
SpeicherkanäleZweikanalig Zweikanalig Zweikanalig Dual

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Inhalt:

Beschreibung:SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP008GBSFU266X02 Modell SILICON POWER EAN/UPC 4713436143956 Produktbeschreibung: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.2 V
Details: Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Das SO DDR4 8GB PC 2666 CL19 Silicon-Power (1x8GB) VALUE Arbeitsspeichermodul von Silicon Power ist die perfekte Wahl für Notebooks und kompakte PCs, die eine zuverlässige und leistungsstarke Speichererweiterung benötigen. Mit einer Kapazität von 8 GB als einzelnes SODIMM-Modul bietet dieser DDR4-RAM eine Taktfrequenz von 2666 MHz bei einer Latenzzeit von CL19 ? ideal für flüssiges Multitasking sowie anspruchsvollere Anwendungen im Alltag oder Berufsumfeld. Dank des niedrigen Spannungsdesigns wird der Energieverbrauch reduziert und die Akkulaufzeit mobiler Geräte verlängert; zudem ist das Modul mit den meisten modernen Notebooks kompatibel. Silicon Power genießt weltweit einen exzellenten Ruf für innovative Speicherlösungen und hohe Qualitätsstandards. Das Unternehmen legt großen Wert auf nachhaltige Produktionsprozesse durch den Einsatz umweltfreundlicher Materialien und strenge Umweltmanagementsysteme während der Fertigung. Mit dem Kauf dieses Speichermoduls verbessern Kunden nicht nur ihre Systemleistung, sondern leisten auch einen Beitrag zum Umweltschutz ? jeder Kauf unterstützt verantwortungsbewusste Praktiken in der Technologiebranche.
Herstellernummer: SP008GBSFU266X02
Details zur Produktsicherheit

Technische Daten

Sprache:

Logistikdaten

Warentarifnummer (HS)84733020

Merkmale

CAS Latenz19
ECCNein
Interner SpeichertypDDR4
Komponente fürLaptop
Memory Formfaktor260-pin SO-DIMM
Speicherkapazität8 GB
Speicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GB
Speicherspannung1.2 V
Speichertaktfrequenz2666 MHz
ZertifizierungCE, FCC, Green dot

Technische Details

KonformitätsbescheinigungenRoHS, WEEE

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