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Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Classement parmi les ventes: N° 3 en SSD interne
N° 181 en Ordinateur
Style: SSD interne
No d'article.: 2101281033

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Content:

Description:

? Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2 PCIe 5.0 x2 ? Geschwindigkeit: (L) 7150MB/s - (S) 6300MB/s ? Module: 3D-NAND TLC ? TBW: 600TB

Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen Ge
PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2, M.2 2280, intern
Kapazität: 1 TB
Datentransferrate: Lesen: 7.150 MB/s, Schreiben: 6.300 MB/s
IOPS: Lesen: 850.000, Schreiben: 1.350.000
Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC
Le disque SSD Samsung 990 EVO Plus NVMe PCIe 5.0 x2 au format M.2 et d?une capacité de 1 To s?adresse aux utilisateurs exigeant des performances et une fiabilité exceptionnelles pour leur stockage de données numériques les plus critiques ou volumineuses : jeux vidéo haut de gamme, création multimédia ou applications professionnelles intensives en ressources bénéficient pleinement de ses vitesses fulgurantes grâce à l?interface avancée PCI Express Gen5 (jusqu?à 5000 Mo/s en lecture séquentielle et jusqu?à 4200 Mo/s en écriture selon la configuration). Résultat : démarrages accélérés du système d?exploitation comme des logiciels lourds et transferts instantanés même pour les fichiers volumineux tout en assurant un multitâche fluide sans ralentissement notable. La technologie propriétaire V-NAND associée à un contrôleur optimisé garantit robustesse sur le long terme ainsi qu?une efficacité énergétique remarquable lors du traitement rapide des données ; la sécurité n?est pas oubliée avec le chiffrement matériel AES 256 bits intégré protégeant vos informations sensibles contre toute tentative d?accès non autorisée. Ce modèle est idéal pour moderniser ordinateurs portables ou fixes compatibles avec le standard M.?2/NVMe ? que ce soit dans une nouvelle configuration performante ou afin d?améliorer sensiblement la réactivité globale d?un appareil existant tout en augmentant sa capacité de stockage fiable et rapide?! Leader mondial reconnu dans l?électronique grand public comme professionnelle depuis plusieurs décennies déjà,Samsung place la durabilité au c?ur de son développement via des procédés industriels écoresponsables,réduction continue des émissions carbone sur l?ensemble du cycle logistique,fournisseurs sélectionnés selon leurs engagements environnementaux stricts ainsi que par ses programmes ambitieux dédiés au recyclage.Cela signifie qu?en choisissant cette solution innovante,vous faites aussi un geste concret pour préserver notre planète: chaque achat contribue activement à soutenir ces démarches positives vers un avenir plus vert !
N° de fabricant: MZ-V9S1T0BW
Sécurité des produits

Spécifications techniques

Langue:

Caractéristiques

Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture7150 Mo/s
Vitesse d'écriture6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1350000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique (Lecture)4,3 W
Consommation électrique (Ecriture)4,2 W
Consommation électrique moyenne (lecture)4,3 W
Consommation électrique moyenne (écriture)4,2 W
Consommation électrique (idle)0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)5 mW

Conditions environnementales

Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 G

Poids et dimensions

Largeur80,2 mm
Profondeur2,38 mm
Hauteur80,2 mm
Poids9 g

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Numéro d'article21012810332100440646210093435721009084602101021056
En vente depuis31.10.202411.11.202104.07.202331.05.202318.10.2023
Prix184,39 EUR306,69 EUR387,19 EUR238,39 EUR155,79 EUR
Poids9 g7,5 g30,4 g9 g7 g
FabricantSamsungWestern JubileeWestern JubileeCrucialKioxia
CatégorieAccessoriesHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To1 To1 To1 To1 To
Facteur de forme SSDM.2 M.2 M.2 M.2 M.2
InterfacePCI Express 4.0 PCI Express 3.0 PCI Express 4.0 PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
NVMeOui Oui Oui Oui Oui
Vitesse de lecture7150 Mo/s3430 Mo/s7300 Mo/s11700 Mo/s5000 Mo/s
Vitesse d'écriture6300 Mo/s3000 Mo/s6300 Mo/s9500 Mo/s3900 Mo/s
Plus de fonctionsaucune informationaucune informationaucune informationm2-ssdaucune information

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