Silicon-power

SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC (SP008GBSFU2
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Stil: Arbeitsspeicher (RAM) PC
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Artikelnummer2100724219210112999521010496622100950887
Im Angebot seit30.10.202213.03.202424.11.202327.07.2023
Preis275,49 EUR244,09 EUR155,59 EUR422,29 EUR
Gewicht0.21kg0.06kg0.17kg0.22kg
HerstellerG.skillKingstonTeam GroupG.skill
KategorieHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Speicherkapazität64 GB48 GB32 GB96 GB
Speicherlayout (Module x Größe)2 x 32 GB1 x 48 GB2 x 16 GB2 x 48 GB
Interner SpeichertypDDR5 DDR5 DDR5 DDR5
Komponente fürPC PC / Server PC PC
ECCNein Nein Nein Nein
Gepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered)
CAS Latenz30 46 34 32
Speicherspannung1.4 V1.1 V1.4 V1.35 V

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Inhalt:

Beschreibung:SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Silicon Power Hersteller Art. Nr. SP008GBSFU266X02 Modell SILICON POWER EAN/UPC 4713436143956 Produktbeschreibung: SILICON POWER - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - ungepuffert Produkttyp Speichermodul Kapazität 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.2 V
Details: Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Speichermodul Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Das SO DDR4 8GB PC 2666 CL19 Silicon-Power (1x8GB) VALUE Arbeitsspeichermodul von Silicon Power ist die perfekte Wahl für Notebooks und kompakte PCs, die eine zuverlässige und leistungsstarke Speichererweiterung benötigen. Mit einer Kapazität von 8 GB als einzelnes SODIMM-Modul bietet dieser DDR4-RAM eine Taktfrequenz von 2666 MHz bei einer Latenzzeit von CL19 ? ideal für flüssiges Multitasking sowie anspruchsvollere Anwendungen im Alltag oder Berufsumfeld. Dank des niedrigen Spannungsdesigns wird der Energieverbrauch reduziert und die Akkulaufzeit mobiler Geräte verlängert; zudem ist das Modul mit den meisten modernen Notebooks kompatibel. Silicon Power genießt weltweit einen exzellenten Ruf für innovative Speicherlösungen und hohe Qualitätsstandards. Das Unternehmen legt großen Wert auf nachhaltige Produktionsprozesse durch den Einsatz umweltfreundlicher Materialien und strenge Umweltmanagementsysteme während der Fertigung. Mit dem Kauf dieses Speichermoduls verbessern Kunden nicht nur ihre Systemleistung, sondern leisten auch einen Beitrag zum Umweltschutz ? jeder Kauf unterstützt verantwortungsbewusste Praktiken in der Technologiebranche.
Herstellernummer: SP008GBSFU266X02
Details zur Produktsicherheit

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