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| Sales Rank: |
Nr. 3 in interne Festplatten SSD
Nr. 158 in Computer |
| | Stil: |
interne Festplatten SSD |
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| Artikel Nr.: |
2101281033 |
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| Beschreibung: | ? Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2 PCIe 5.0 x2 ? Geschwindigkeit: (L) 7150MB/s - (S) 6300MB/s ? Module: 3D-NAND TLC ? TBW: 600TB Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen GePCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2, M.2 2280, internKapazität: 1 TBDatentransferrate: Lesen: 7.150 MB/s, Schreiben: 6.300 MB/sIOPS: Lesen: 850.000, Schreiben: 1.350.000Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLCDie Samsung 990 EVO Plus NVMe PCIe 5.0 x2 M.2 SSD mit einer Kapazität von 1 TB richtet sich an Anwender mit höchsten Ansprüchen an Leistung und Zuverlässigkeit bei Speicherlösungen. Dank der modernen PCIe Gen5-Schnittstelle bietet dieses Laufwerk extrem schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten ? ideal für Gaming-Enthusiasten sowie Content Creator und Profis im Umgang mit großen Datenmengen oder anspruchsvollen Anwendungen. Mit sequentiellen Lesegeschwindigkeiten von bis zu 5000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4200 MB/s (je nach Systemkonfiguration) profitieren Sie von schnellen Bootzeiten sowie zügigen Dateiübertragungen und flüssigem Multitasking.
Samsung setzt auf die eigene V-NAND-Technologie sowie einen optimierten Controller für hohe Haltbarkeit und Energieeffizienz bei gleichzeitig schneller Datenverarbeitung. Die Festplatte unterstützt fortschrittliche Funktionen wie AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung zum Schutz Ihrer Daten.
Dieses Produkt eignet sich hervorragend zur Aufrüstung kompatibler Desktop-PCs oder Notebooks mit einem M.2-NVMe-Steckplatz ? egal ob beim Neubau eines Systems oder zur Steigerung der Reaktionsfähigkeit Ihres bestehenden Setups.
Als weltweit führender Elektronikhersteller engagiert sich Samsung stark für Nachhaltigkeit durch umweltfreundliche Produktionsprozesse, reduzierte CO?-Emissionen entlang der Lieferkette sowie verantwortungsvolle Materialbeschaffung und Recycling-Initiativen. Mit dem Kauf dieser SSD leisten Kunden nicht nur technologisch einen Fortschritt; sie tragen auch aktiv zum Umweltschutz bei ? ein Schritt in eine grünere Zukunft. | | | Herstellernummer: |
MZ-V9S1T0BW |
| Details zur Produktsicherheit
Verantwortliche Person für die EU:
Samsung
Frankfurter Straße 2, 65760 Eschborn, Deutschland
kundenbetreuung@samsung.de | |
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Merkmale | | SSD Speicherkapazität | 1 TB | | SSD-Formfaktor | M.2 | | Schnittstelle | PCI Express 4.0 | | NVMe | Ja | | Speichertyp | V-NAND TLC | | Komponente für | PC | | Hardwareverschlüsselung | Ja | | NVMe Version | 2.0 | | Unterstützte Sicherheitsalgorithmen | 256-bit AES | | M.2 SSD- Größe | 2280 (22 x 80 mm) | | Lesegeschwindigkeit | 7150 MB/s | | Schreibgeschwindigkeit | 6300 MB/s | | Zufälliges Lesen (4KB) | 850000 IOPS | | Zufälliges Schreiben (4KB) | 1350000 IOPS | | DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung | Ja | | S.M.A.R.T. Unterstützung | Ja | | TRIM-Unterstützung | Ja | | Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) | 1500000 h | Energie | | Arbeitsspannung | 3,3 V | | Energieverbrauch (lesen) | 4,3 W | | Energieverbrauch (schreiben) | 4,2 W | | Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen) | 4,3 W | | Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben) | 4,2 W | | Energieverbrauch (idle) | 0,06 W | | Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf) | 5 mW | Betriebsbedingungen | | Betriebstemperatur | 0 - 70 °C | | Stoßfestigkeit in Betrieb | 1500 G | Gewicht und Abmessungen | | Breite | 80,2 mm | | Tiefe | 2,38 mm | | Höhe | 80,2 mm | | Gewicht | 9 g |
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